去年年中，三星宣布全球首發3nm制程工藝，與前幾代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶體管架構，能極大改善芯片的功率以及效率。目前有消息稱，三星在3nm工藝制程中依然遭遇了不小的生產問題，其中最大的原因就是人才短缺。

據悉，三星沒有足夠的人才來支撐3nm工藝的全力推進，為了緩解這一情況，三星重組了130nm和65nm工藝的人力，重新分配至3nm產線。因此，三星也付出了一定的代價，不再承接來自中小型廠家基于130nm和65nm代工的芯片訂單。

與之前的5nm相比，新一代的3nm制程工藝降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同時減少16%的面積。三星還宣稱，第二代的3nmGAA制造工藝也尚在研發中，下一代工藝將使芯片的功耗降低50%，性能提升30%并減少35%的面積。三星電子表示，其GAA晶體管芯片將會應用于高性能、低功耗的計算領域，并計劃拓展到移動處理器。

三星電子的3nm芯片采用了GAA架構通過降低電源電壓和增強驅動電流的能力來有效提升功率。此外，三星還在高性能智能手機處理器的半導體芯片中也應用過納米片晶體管，與納米線技術相比，前者擁有更寬的通道，以及具備更高的性能和效率。三星的客戶可通過調整納米片的寬度，來定制自己需要的功耗和性能指標。

臺積電也在去年12月底正式啟動3nm大規模生產，根據臺積電的說法，其3nm和5nm在初期的良品率基本相同。與之形成對比的是，三星3nm工藝剛剛投產時，就深受良品率的困擾，其芯片良品率一度只有20%。不過如今事情似乎迎來了轉機，有消息傳出，三星已經聯合IBM、SiliconFrontlineTechnology等公司合作提高3nm成品率，希望為自家手機爭取到部分高通驍龍8Gen3的訂單。

根據外媒報道，三星一位高管表示，相比于此前受困的良率問題，三星第一代的3nm制程良率已接近完美，第二代3nm芯片技術也迅速展開。此外，此前傳聞的中90%的臺積電3nm良率過于夸張，實際可能在50%以上。

不過一直以來，三星在芯片工藝技術上一直落后于臺積電，最直觀的就是在5nm工藝時，采用三星5nm工藝制程打造的驍龍8早早地就翻了車，迫使高通不得不將之后的訂單悉數交給臺積電，而由臺積電代工的驍龍8+在性能功耗等各個方面都遠超三星5nm工藝的驍龍8。這主要是因為三星的5nm工藝對比臺積電的5nm工藝在晶體管密度這塊就相差了35%。

因此，3nm工藝成功與否將關系到三星在3nm時代能否擁有自己的一席之地，隨著不少大廠例如高通、英偉達的紛紛出走，三星打算在3nm重整旗鼓也是情理之中。同樣地，蘋果近些年在A系列芯片以及M系列芯片中提升過小，也被外界認為是由于人才原因導致。人才稀缺使得多線作戰的蘋果無法抽身來大幅提升芯片性能，目前蘋果正在自研基帶、藍牙以及Wi-Fi芯片，可想而知蘋果內部的人才壓力之大。

如今三星S23系列所搭載的高通定制版驍龍8Gen2同樣由臺積電代工，三星這次全力推進3nm工藝，能否取得成效，還要看在良品率以及工藝技術。