近日，搭載驍龍8Gen2的三星GalaxyS23系列現(xiàn)身Geekbench跑分網(wǎng)站，這也是驍龍8Gen2機型的首個跑分數(shù)據(jù)。結果顯示，這顆芯片單核跑分1524分，多核跑分4597分，系統(tǒng)基于安卓13，同時配備了8GB內(nèi)存。
據(jù)悉，這款泄露的三星GalaxyS23是美版，型號為SM-S911U，處理器代號Kalama，采用1+3+4架構，頻率分別是3.36GHz、2.8GHz及2.02GHz，同時搭載了Adreno740GPU。作為對比，驍龍8+Gen1的CPU為超大核3.2GHz，3大核2.75GHz，4小核2.0GHz。
對比搭載驍龍8的小米12S來看，小米12S的單核跑分為1229分，多核為3706分。而根據(jù)高通官方透露的驍龍8+的數(shù)據(jù)，驍龍8+單核1333分，多核4211分。相當于驍龍8Gen2相比驍龍8單核和多核都提升了24%之多，而對比驍龍8+則是單核提升了14%，多核提升了9%，提升可謂明顯。
根據(jù)爆料，三星GalaxyS23的性能調(diào)度相對保守，國產(chǎn)機型在性能調(diào)校上會更加激進，由此也會帶來更高的跑分，在實際的表現(xiàn)上也要優(yōu)于三星GalaxyS23。相比驍龍8+，驍龍8Gen2的提升幅度大約在10%以上：其中CPU性能提升10%、CPU能效提升15%、GPU提升20%、NPUAI性能提升50%，ISP也有很大提升。
驍龍8+僅僅只是驍龍8的升級款，甚至連架構都沒有任何改變，依舊保持一顆X2超大核，三顆A710大核以及四顆A510的三叢集結構，不同的是每個叢集均提升了0.2GHz。此外，驍龍8轉(zhuǎn)由臺積電代工，采用臺積電的4nm工藝制程打造。官方宣稱驍龍8+對比驍龍8在SoC的能耗方面降低了15%，GPU能耗降低了30%，CPU的能效則提升了30%之多。
此前就有傳聞稱，驍龍8Gen2將同樣由臺積電代工，采用4nm制程工藝打造，并將繼續(xù)采用1+3+4的三叢集架構設計，CPU將由一顆超大核，三顆大核以及四顆高能效核組成，而超大核可能是ARMCortexX系列。
如今泄露的跑分數(shù)據(jù)來看，驍龍8Gen2確實采用了1+3+4的三叢集架構設計，但是并不是三顆大核核四顆高能效核，而是四顆大核三顆高能效核，如此一來將帶來更加可觀的性能提升。
在基帶方面，驍龍8Gen2將會采用下一代的5G調(diào)制解調(diào)器驍龍X70。官方表示，驍龍X70將支持10Gbps5G的峰值下載速度，還帶來了讓人耳目一新的先進功能，比如四載波聚合、高通5GAI套件和高通5G抄底延時套件等等。
有博主表示，由于高通驍龍8Gen2芯片本身采用的就是臺積電4nm制程工藝，所以沒有像今年這樣的半代大更新，PLUS就是在驍龍8Gen2芯片的基礎上進行了超頻。因此，明年手機廠商的產(chǎn)品線也將回歸正常，不會像今年一樣一年發(fā)布三代旗艦，而是上半年、下半年各一款重量級旗艦。
驍龍8Gen2的出現(xiàn)不僅讓下半年的手機市場變得血雨腥風，也讓這一年來魔幻的一年三旗艦市場重回正軌。這次高通選擇和臺積電攜手，從一定程度上來說可以解決之前的“發(fā)燒”體驗，對于用戶來說也讓安卓陣營可以被考慮。
