今天（11月19日），第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州開幕。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。

出席開幕式的領(lǐng)導(dǎo)嘉賓有中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇，中國科學(xué)院院士、廈門大學(xué)黨委書記、教授張榮，中國科學(xué)院院士、浙大寧波理工學(xué)院校長、浙江大學(xué)硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室主任、教授楊德仁，中國工程院院士、清華大學(xué)教授羅毅，中國科學(xué)院外籍院士、瑞典皇家科學(xué)院及工程院兩院院士、瑞典德隆大學(xué)教授、南方科技大學(xué)講席教授Lars SAMUELSON，工業(yè)和信息化部電子信息司集成電路處處長郭力力，工業(yè)和信息化部電子信息司集成電路處副處長朱邵歆，中國中小企業(yè)協(xié)會、國家發(fā)展改革委原氣候司巡視員謝極，科技部戰(zhàn)略規(guī)劃司原司長王曉方，國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟（ISA）聯(lián)合秘書長、科技部國際合作司原司長靳曉明，科技部部資源配置與管理司原副司長、一級巡視員曹國英，工業(yè)和信息化部電子司原副司長季國平，國家自然科學(xué)基金委員會信息科學(xué)部原副主任何杰，蘇州實驗室副主任景震強，蘇州市科技局副局長劉俊。此外，還有眾多來自海內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域的政府領(lǐng)導(dǎo)、知名專家、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)組織領(lǐng)導(dǎo)、投資機構(gòu)以及媒體，近千人出席了開幕大會。圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用，深入探討交流最新技術(shù)進展與發(fā)展趨勢，分享前沿研究成果，共議產(chǎn)業(yè)發(fā)展新未來。

培塑融合創(chuàng)新生態(tài)新思路 賦能產(chǎn)業(yè)升級進程

不同應(yīng)用的變革升級以及新興領(lǐng)域的拓展，帶來第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用的持續(xù)增長，帶動更多應(yīng)用領(lǐng)域的更新?lián)Q代和產(chǎn)業(yè)升級。產(chǎn)業(yè)鏈融通，以及創(chuàng)新生態(tài)構(gòu)建將有利于整體產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新和良性循環(huán)，推動產(chǎn)業(yè)升級和經(jīng)濟發(fā)展。

中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇致辭

中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇致辭時表示，隨著人工智能高算力需求爆發(fā)，新一代速度更快、功耗更低、集成度更高的半導(dǎo)體材料和器件成為滿足信息技術(shù)面向超高速、超大容量發(fā)展的必然選擇。全球正在經(jīng)歷新一輪電氣化進程，交通運輸、大算力設(shè)施等新興應(yīng)用的快速布局對更加高效、更加強勁的電能處理能力提出了迫切的需求，也成為下一代電力電子系統(tǒng)研發(fā)的新動力。寬禁帶半導(dǎo)體與其他功能材料實現(xiàn)跨材料體系的異質(zhì)集成和功能融合，開發(fā)新型器件是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展趨勢。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的全球化屬性是不可改變的，創(chuàng)新對半導(dǎo)體行業(yè)尤為重要，加強技術(shù)研究和原始創(chuàng)新，實現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)突破，以創(chuàng)新驅(qū)動產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，同時要堅持加強全球產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的協(xié)作，仍然是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要路徑。

中國科學(xué)院院士、廈門大學(xué)黨委書記、教授張榮院士致辭

半導(dǎo)體技術(shù)，作為現(xiàn)代科技的核心驅(qū)動力之一，一直以來都在不斷革新和突破，備受全球關(guān)注，新的時代發(fā)展趨勢下，迎來了非常好的發(fā)展機遇。中國科學(xué)院院士、廈門大學(xué)黨委書記、教授張榮院士致辭時表示，當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料以其獨特的性能優(yōu)勢，無論是在光電技術(shù)，還是在功率電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)方面都有著不可替代的作用，近些年發(fā)展也取得了長足的進步。第三代半導(dǎo)體具有產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和科技創(chuàng)新融合的特點，可以在闖出融合新路的過程當(dāng)中做出更大的貢獻。希望來自各地的業(yè)界同仁通過論壇深入的交流碰撞，更好的找到未來前進的方向，也為我國的產(chǎn)教融合，產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和科技創(chuàng)新的融合創(chuàng)造更好的條件。希望年輕的科技工作者和同學(xué)們通過論壇不斷的探討學(xué)習(xí)思考成長，更快的成長起來，撐起我們第三代半導(dǎo)體新的天空，共同書寫新的輝煌篇章。

工業(yè)和信息化部電子信息司集成電路處處長郭力力致辭

蘇州實驗室副主任景震強致辭

新材料產(chǎn)業(yè)是戰(zhàn)略性基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)，必將成為未來高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石和先導(dǎo)。蘇州實驗室副主任景震強致辭時表示，當(dāng)前，新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)革命深入發(fā)展，新材料的研發(fā)和應(yīng)用已經(jīng)成為推動產(chǎn)業(yè)升級經(jīng)濟增長，培育發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力的重要力量。第三代半導(dǎo)體材料具有獨特的優(yōu)勢，對于引領(lǐng)支撐信息產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展具有關(guān)鍵作用，全球科技界產(chǎn)業(yè)界都高度關(guān)注，競相布局。科技強國材料必須先行，蘇州實驗室前瞻布局戰(zhàn)略性材料，承擔(dān)著建設(shè)全國材料科技創(chuàng)新高地和人才高地的重任。當(dāng)前，蘇州實驗室正全力打造尖端人才聚集和科技體制改革兩個平臺，秉持開放合作的理念，將努力發(fā)揮材料領(lǐng)域科技攻關(guān)總平臺的作用，進一步加強與國內(nèi)外科研機構(gòu)、高校、科技領(lǐng)軍企業(yè)之間的協(xié)同創(chuàng)新，構(gòu)建科學(xué)技術(shù)工程融通創(chuàng)新機制，力爭以材料科技突破引發(fā)產(chǎn)業(yè)變革，也歡迎海內(nèi)外優(yōu)秀人才有志之士加入一起共創(chuàng)美好未來。

聯(lián)盟（CASA）9項SiC MOSFET功率器件測試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

為促進產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟在產(chǎn)業(yè)各界的關(guān)注和支持下，2021年起布局并持續(xù)啟動了SiC MOSFET功率器件的系列標(biāo)準(zhǔn)制定工作，希望能夠業(yè)界建立起統(tǒng)一的產(chǎn)品可靠性評價及測試方法，樹立應(yīng)用市場信心，支撐新興市場開拓。開幕式上，舉行了9項SiC MOSFET功率器件測試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布儀式。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長，國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員吳玲發(fā)布《2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展》

《2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展》發(fā)布

2024年，第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展日新月異。在快速變化的浪潮中，為了更好的把握行業(yè)前沿、凸顯具有影響力和突破性的進展，為行業(yè)發(fā)展提供清晰視角，激勵更多創(chuàng)新，大會程序委員會倡議，啟動2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展評選活動。截至11月10日通過自薦、推薦和公開信息整理等途徑，共收到備選技術(shù)39項，經(jīng)程序委員會投票、綜合評議，開幕式上，“6-8英寸藍寶石基氮化鎵中高壓電力電子器件技術(shù)實現(xiàn)重大突破”、“垂直注入鋁鎵氮基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備”“基于銦鎵氮紅光Micro-LED芯片的全彩顯示技術(shù)”等十大技術(shù)進展正式揭曉。

探新路 助力創(chuàng)新應(yīng)用新浪潮

新科技時代背景下，創(chuàng)新和技術(shù)挑戰(zhàn)持續(xù)推動著第三代半導(dǎo)體技術(shù)研究和應(yīng)用的發(fā)展進程，展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力，產(chǎn)業(yè)化水平不斷提升。技術(shù)的變革升級也將深刻影響未來產(chǎn)業(yè)的格局塑造。

開幕大會主旨報告環(huán)節(jié)，共有九大國際重量級報告。中國科學(xué)院院士楊德仁，美國 PowerAmerica 執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024大會主席Victor VELIADIS，瑞典皇家科學(xué)院及工程院兩院院士、中國科學(xué)院外籍院士Lars SAMUELSON，日本理化研究所平山量子光素子研究室主任平山秀樹，北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授沈波，華為技術(shù)日本株式會社大阪研究所高級首席專家濱田公守，西安電子科技大學(xué)副校長、教授張進成，華潤微電子總裁李虹等院士領(lǐng)銜的專家們，從產(chǎn)業(yè)、技術(shù)等多維度探討產(chǎn)業(yè)發(fā)展的未來，共議產(chǎn)業(yè)發(fā)展新篇章。

半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)具有研發(fā)投入大、周期長，技術(shù)難度大、門檻高，全球市場充分競爭，頭部企業(yè)國際壟斷嚴(yán)重等特點。從半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)來看，也面臨著產(chǎn)品水平處于中低端，先進、高端半導(dǎo)體材料嚴(yán)重依賴進口，企業(yè)規(guī)模較小，半導(dǎo)體材料的生長、加工設(shè)備缺乏，半導(dǎo)體材料的測試設(shè)備幾乎空白等挑戰(zhàn)。專家表示，盡管技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展進步很快速，距離依然在。包括氮化物寬禁代半導(dǎo)體的材料和器件研究依然面臨一系列關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題，需繼續(xù)開展深入、系統(tǒng)的研究工作。

開幕大會高峰對話環(huán)節(jié)，華潤微電子總裁李虹，揚杰電子副董事長梁瑤，士蘭微電子副總經(jīng)理聞永祥，匯川技術(shù)聯(lián)合創(chuàng)始人柏子平，南砂晶圓董事長王垚浩等頭部企業(yè)帶頭人、實力派專家，圍繞“碳化硅從6英寸逐漸向8英寸轉(zhuǎn)化的產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢”、“功率器件應(yīng)用市場需求釋放”、“產(chǎn)業(yè)生態(tài)優(yōu)化”等當(dāng)前產(chǎn)業(yè)企業(yè)發(fā)展的熱點重要前沿話題，前瞻與務(wù)實相結(jié)合，面對面對話探討，現(xiàn)場碰撞出熱烈火花。

本屆論壇為期三天，除了重量級全天開幕大會，19—21日精彩將持續(xù)展開。共設(shè)有16場熱點主題技術(shù)分論壇、200余個報告、5場熱點產(chǎn)業(yè)峰會、4場強芯沙龍會客廳主題對話，還有多場衛(wèi)星活動，匯聚全球頂級精英，技術(shù)與產(chǎn)業(yè)并舉，全面覆蓋半導(dǎo)體照明和第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的前沿?zé)狳c、技術(shù)應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)趨勢。

論壇同期，第六屆先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS），全鏈條聚焦第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。論壇期間設(shè)有POSTER論文交流、現(xiàn)場抽獎等精彩紛呈的活動，現(xiàn)場氛圍非常熱烈。