據外媒報道，三星可能會在今年上半年開始量產第三代4納米芯片，將會針對4nm工藝做出全方位改進，性能、功耗方面均有不小提升。

去年年中，三星宣布全球首發3nm制程工藝，與前幾代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶體管架構，能極大改善芯片的功率以及效率。與之前的5nm相比，新一代的3nm制程工藝降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同時減少16%的面積。三星還宣稱，第二代的3nmGAA制造工藝也尚在研發中，下一代工藝將使芯片的功耗降低50%，性能提升30%并減少35%的面積。三星電子表示，其GAA晶體管芯片將會應用于高性能、低功耗的計算領域，并計劃拓展到移動處理器。

三星電子的3nm芯片采用GAA架構通過降低電源電壓和增強驅動電流的能力來有效提升功率。此外，三星還在高性能智能手機處理器的半導體芯片中也應用過納米片晶體管，與納米線技術相比，前者擁有更寬的通道，以及具備更高的性能和效率。三星的客戶可通過調整納米片的寬度，來定制自己需要的功耗和性能指標。

雖然目前3nm工藝是世界上最先進的半導體工藝，包括臺積電也在沖擊3nm工藝，但4nm和5nm仍為時下主流工藝。在5nm時代，采用三星5nm工藝制程打造的驍龍8早早地就翻了車，迫使高通不得不將之后的訂單悉數交給臺積電，而由臺積電代工的驍龍8+在性能功耗等各個方面都遠超三星5nm工藝的驍龍8，這主要是因為三星的5nm工藝對比臺積電的5nm工藝在晶體管密度這塊就相差了35%。

而在4nm工藝中，業內人士估計，三星目前4nm工藝的良品可達到60%，臺積電卻高達70%-80%。這次的第三代4nm工藝相較此前，擁有更低的功耗和更小的面積，并且性能表現上非常亮眼。隨著技術逐漸成熟，三星4nm工藝良品率也會不斷攀升，后期或許能與臺積電齊頭并進。

與此同時，有外媒報道稱，三星一位高管表示，相比于此前受困的良率問題，三星第一代的3nm制程良率已接近完美，第二代3nm芯片技術也迅速展開。此外，此前傳聞的中90%的臺積電3nm良率過于夸張，實際可能在50%以上。不過，也有消息表示三星沒有足夠的人才來支撐3nm工藝的全力推進，為了緩解這一情況，三星重組了130nm和65nm工藝的人力，重新分配至3nm產線。因此，三星也付出了一定的代價，不再承接來自中小型廠家基于130nm和65nm代工的芯片訂單。

因此可以確定的是，目前三星依然主攻4nm和5nm工藝制程，同時在3nm工藝上繼續精進，為后續工藝升級提供技術積累。在面對技術更加穩健的臺積電時，三星一直不占上風，但隨著工藝不斷進步，以及提前搶占3nm工藝的高地，不斷提升4nm工藝技術，三星有望追上臺積電的腳步，重新獲得高通的青睞。